하이닉스, 2GB DDR2 800MHz 메모리 개발

이진 기자
입력 2007.01.18 09:12 수정 2007.01.18 11:08


하이닉스반도체는 기존의 반도체 패키지 방식보다
향상된 최첨단 ‘웨이퍼 레벨 패키지’ 기술을 이용하여 업계 최고속 2GB DDR2 800MHz
PC용 메모리 모듈을 개발하였다고 밝혔다.


특히 이번에 개발된 모듈은 기존의 웨이퍼 레벨 패키지
방식을 적용한 타제품보다 외부 충격내성과 열 발생 문제를 보완하여 보다 안정적인
동작이 가능하고 열방출 특성이 월등히 강화된 특징이 있다.


웨이퍼 레벨 패키지 기술이란 웨이퍼 가공 후 하나하나
칩을 잘라내 패키징하던 기존의 방식과는 달리, 웨이퍼 상태에서 한번에 패키징 공정을
행한 후 칩을 절단하여 간단히 완제품을 만들어 내는 기술이다.



기존에는 하나의 반도체를 만들기 위해 가공이 끝난
웨이퍼에서 칩을 잘라낸 후 기판에 부착하여 일일이 회로를 연결하고 플라스틱을
씌워 패키지를 형성했다. 그러나 웨이퍼 레벨 패키지 공정에서는 웨이퍼에 구현된
칩 위에 절연물질을 덮고 배선 연결 등의 공정을 거쳐 간단히 패키징을 끝내기 때문에,
공정의 효율성을 높였을 뿐만 아니라 소형화된 패키지를 제작하기에 용이하다.


하이닉스반도체는 “웨이퍼 상태에서 한번에 대량의
칩을 패키징할 수 있어 기존 패키지 방식보다도 20% 이상 생산원가를 절감할 수 있다.
또한 외부연결용 배선 길이가 짧아져 동작 속도가 향상되어 고속의 데이터 처리를
요하는 제품에 적합하다”고 말했다.


다나와 이진 기자  href="mailto:miffy@danawa.com">miffy@danawa.com
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