삼성전자가 40나노 공정을 적용한 ‘8GB 플렉스
원낸드(Flex-OneNAND)’를 개발했다.
'8GB 플렉스 원낸드’는 퓨전 메모리 제품 최초로 40나노 공정을 적용해 기존 60나노급 4GB 플렉스 원낸드 대비 약 2.8배의 향상된 생산성을 갖는다. 내장 타입의 확장 스토리지인 Movi-낸드(혹은 eMMC)까지 컨트롤할 수 있는 이 제품은 휴대폰 업체가 고용량 내장 스토리지를 갖춘 제품을 개발할 때 별도의 소프트웨어를 필요치 않게 한다.
소프트웨어 솔루션은 휴대폰
업체에서 직접 플렉스 원낸드의 SLC 및 MLC 용량을 자유자재로 디자인할 수 있다.
프로그램을 지원하는 코드(Code)용 SLC 플래시와 사진 및 동영상 등의 데이터 저장용
MLC 플래시를 하나의 칩으로 구현할 수 있다.
‘8GB 플렉스 원낸드’는 약
1기가바이트의 MLC 낸드 용량을 갖추고 있다. MLC 낸드 플래시 대비 4배 이상 고속의
읽기 성능 구현을 가진 이 제품은 대용량, 고성능, 저소비전력 등 고효율 동작을
요구하는 하이엔드 휴대폰에 가장 적합하다.
'07년 60나노급 4기가 플렉스 원낸드 개발로 고성능 스마트폰에서 퓨전 메모리 시장을 확대한 바 있는 삼성전자는 올 3월부터 8기가 플렉스 원낸드를 양산해 고용량 하이엔드 휴대폰 시장까지 퓨전 메모리 제품으로 전환해 나갈 예정이다.
삼성전자 관계자는 “차별화 제품의 수요 증대에 대응하기 위해 올해 원낸드 제품의 생산을 지난해 대비 2배 이상으로 확대할 예정이다”라며 “이를 기반으로 퓨전 메모리의 사업화 역량을 강화하고 고용량 카드 시장의 성장을 견인해 나갈 예정이다”라고 말했다.
한편 원낸드(OneNAND)제품은 40나노급 공정의 1GB /2GB /4GB로 구성돼 양산될 예정이다.
다나와 정소라 기자 ssora7@danawa.com