삼성, 32Gb 고속 낸드플래시 양산 돌입

이진 기자
입력 2009.12.01 17:03


삼성전자가 업계 최초로 읽기 속도를 3배 이상
향상시킨 32Gb 고속 낸드플래시와 저장용량을 3배 늘린 32Gb 3비트 낸드플래시를
지난달 말 양산에 들어갔다.


고속 낸드플래시는 D램의 고속 데이터 전송 방식인
DDR(Double Data Rate) 인터페이스를 낸드플래시에 적용한 비동기(Asynchronous)
DDR MLC(Multi-Level Cell) 낸드플래시 제품이다.



삼성전자는 독자적인 저전력 비동기 DDR 인터페이스
기술을 적용해 소비 전력량을 증가시키지 않으면서도 기존 SDR(Single Data Rate)
제품 대비 읽기 속도를 약 3배 이상 빠르게 구현했다. 삼성전자는 이 제품을 프리미엄급
메모리카드 뿐 아니라 고성능 SSD 제품에도 적용해 나갈 계획이다.


삼성전자가 업계 최초로 32Gb 3비트 MLC 낸드플래시를
양산했다.


3비트 낸드플래시는 하나의 셀(Cell)에 3비트 단위의
데이터를 저장할 수 있도록 해 같은 칩 면적에서 1비트(bit) 데이터를 저장하는 SLC(Single-Level
Cell)에 비해 약 3배의 대용량 데이터를 저장할 수 있도록 한 것이다. 삼성전자는
3비트 낸드플래시 전용 컨트롤러를 탑재해 안정적인 카드 성능을 확보했다.


삼성전자는 3비트 낸드플래시 제품으로 대용량 메모리카드,
휴대폰용 메모리카드 시장에서 기존 MLC 낸드플래시 제품을 대체해 나갈 예정이다.


삼성전자는 지난 3월 30나노급 32Gb MLC 낸드플래시를
양산한 데 이어 8개월만에 동일 공정, 용량으로 고성능, 대용량, 저전력 솔루션인
고속 낸드플래시 및 3비트 낸드플래시 제품을 양산함으로써 더욱 차별화된 32Gb 낸드플래시
전 제품군을 확보하게 됐다.


삼성전자는 고객 수요에 따라 차별화된 낸드플래시
솔루션을 제공할 수 있게 돼 프리미엄 시장에서 주도권을 강화하게 됐다.


삼성전자는 향후 20나노급의 차세대 제품군에서도
고속 낸드플래시 및 3비트 낸드플래시를 선행 개발해 고성능, 저전력, 대용량 제품을
안정적으로 공급할 계획이다.


또, 고객의 다양한 요구에 보다 신속하게 대처해 제품
개발비용 절감과 개발기간을 단축하는 등 고객 이익을 극대화해 나갈 예정이다.


* 삼성전자 보도자료


IT조선 이진 기자 miffy@chosunbiz.com
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