美오스틴 이어 中시안에 두번째 해외 반도체공장

 

삼성전자가 12일 중국 산시(陝西)성 시안(西安)시에서 낸드플래시를 생산하기 위한 반도체 공장 기공식을 갖는다.

 

삼성전자의 해외 반도체 공장 건설은 1996년 미국 텍사스주 오스틴에 이어 두번째다.

 

이날 행사에는 권오현 삼성전자 대표이사(부회장)를 비롯해 전동수 메모리사업 부사장, 장원기 중국삼성 사장 등 삼성 경영진과 중국 정부 관계자 등이 참석할 예정이다.

 

삼성전자는 지난 4월 시안 반도체 공장 건설에 초기 출자자금 23억달러를 포함해 수년간 단계적으로 총 70억달러를 투자하는 계획을 확정했다.

 

이는 삼성전자의 해외 반도체 생산라인 투자로는 최대 규모다.

 

내년말 시가동에 들어가 2014년부터 10나노급 낸드플래시 생산에 본격 돌입할 예정이다. 생산 능력은 300mm 웨이퍼 투입기준 월 7만~10만장 수준이 될 것으로 추정된다.

 

삼성전자가 시안을 중국 진출의 거점으로 정한 데는 주변에 주요 고객사와 글로벌 IT 기업의 생산·연구 거점이 밀집돼 있고 우수 인력을 영입하는 데도 유리하다는 판단이 작용한 것으로 알려졌다.

 

시안시는 중국 정부가 야심차게 추진하는 서부 대개발 정책의 전략적 요충지로 전기, 용수 등 산업 인프라가 잘 갖춰져 있다는 평가를 받고 있다.

 

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