[IT조선 노동균] 삼성전자가 최초로 기존 2세대 128기가비트(Gb) 낸드보다 용량을 2배 향상시킨 256기가비트 3차원 V낸드 양산에 성공했다.
이번 256Gb V낸드는 데이터를 저장하는 3차원 셀(Cell)을 기존(32단) 대비 1.5배 더 쌓아 올리는 삼성전자의 3세대(48단) V낸드 기술이 적용된 업계 최대 용량의 메모리 칩이다.
256Gb V낸드는 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(GB) 용량의 메모리카드를 만들 수 있다. 또한 기존 128Gb 낸드가 적용된 SSD와 동일 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있어 테라바이트(TB)급 SSD 대중화를 위한 최적의 솔루션을 제공한다.
현재까지 업계에서 유일하게 V낸드를 양산하고 있는 삼성전자는 지난해 8월 2세대 3비트 V낸드를 생산한지 1년 만에 3세대 3비트 V낸드를 본격 양산함으로써 3차원 메모리 기술리더십을 더욱 확고히 하게 됐다.
이번에 양산을 시작한 3세대 V낸드는 셀이 형성될 단층을 48단으로 쌓고 나서 약 18억 개의 원형 홀을 수직으로 뚫은 다음 총 853억 개 이상의 셀을 고속 동작시킨다. 각 셀마다 3개의 데이터(3비트)를 저장할 수 있어 총 2560억 개의 데이터를 읽고 쓴다.
또한, 쓰기 성능과 절전 효과를 동시에 높여 글로벌 고객들이 효율적인 차세대 대규모 스토리지 시스템을 구축하는데 크게 기여할 것으로 기대된다고 회사 측은 강조했다.
특히 3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조와 48단 수직 적층 공정, 3비트 저장기술을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를 더욱 빠르게 저장하고, 소비 전력량을 30% 이상 줄였다.
아울러 기존 32단 양산 설비를 최대한 활용함으로써 제품 생산성을 약 40%나 높여 원가 경쟁력도 대폭 강화했다.
삼성전자는 지난달 2TB SSD 제품 출시를 계기로 본격 추진하고 있는 테라 SSD 대중화를 더욱 앞당기기 위해 3세대 V낸드 생산을 위한 투자를 계획대로 추진해 나간다는 계획이다.
전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 “3세대 V낸드 양산으로 글로벌 기업과 소비자들에게 더욱 편리한 대용량 고효율 스토리지 솔루션을 제공할 수 있게 됐다”며 “향후 V낸드 기술의 우수성을 최대로 발휘할 수 있는 초고속 프리미엄 SSD 시장에서 사업 영역을 지속 확대하며 독보적인 사업 위상을 유지해 나갈 것”이라고 말했다.
노동균 기자 yesno@chosunbiz.com