최우영 교수팀, 초저전력 비휘발성 메모리 소자 개발

이진 기자
입력 2016.05.04 19:26
최우영 서강대학교 전자공학과 교수 연구팀은 세계 최초로 기존 비휘발성 메모리의 전력소모 한계를 극복할 수 있는 새로운 초저전력 비휘발성 메모리 소자를 개발했다고 4일 밝혔다. 최 교수팀의 성과는 반도체 소자 분야 학술지인 미국 어플라이드 피직스 레터스에 게재됐다.

기존의 플래시 메모리 구조(왼쪽)와 최우영 교수팀이 개발한 초저전력 플래시 메모리 구조를 비교해봤다. / 서강대학교 제공
기존의 플래시 메모리는 금속·산화물·반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET) 구조를 이용했는데, 작동을 하려면 일정 수준 이상의 전압이 필요하다. 종전 메모리로는 최근 늘어나는 스마트기기나 사물인터넷 관련 기기의 전력 필요량을 맞추기 어렵다.

최 교수팀은 양자역학적 원리를 응용한 터널링 전계효과 트랜지스터(TFET) 구조를 이용해 낮은 전압으로 작동하는 비휘발성 메모리 소자를 개발했다. 이 소자는 종전 작동 전압을 4분의 1로 줄일 수 있다.

최 교수는 "이번 연구 결과는 메모리·비메모리 분야에서 모두 사용할 수 있는 기술이다"며 "휴대용 전자기기와 사물인터넷 관련 제품의 경쟁력을 강화하는데 기여할 것으로 예상한다"고 말했다.

T조선 뉴스레터 를 받아보세요! - 구독신청하기
매일 IT조선 뉴스를 받아보세요 닫기