최우영 서강대학교 전자공학과 교수 연구팀은 세계 최초로 기존 비휘발성 메모리의 전력소모 한계를 극복할 수 있는 새로운 초저전력 비휘발성 메모리 소자를 개발했다고 4일 밝혔다. 최 교수팀의 성과는 반도체 소자 분야 학술지인 미국 어플라이드 피직스 레터스에 게재됐다.
최 교수팀은 양자역학적 원리를 응용한 터널링 전계효과 트랜지스터(TFET) 구조를 이용해 낮은 전압으로 작동하는 비휘발성 메모리 소자를 개발했다. 이 소자는 종전 작동 전압을 4분의 1로 줄일 수 있다.
최 교수는 "이번 연구 결과는 메모리·비메모리 분야에서 모두 사용할 수 있는 기술이다"며 "휴대용 전자기기와 사물인터넷 관련 제품의 경쟁력을 강화하는데 기여할 것으로 예상한다"고 말했다.