삼성, 반도체 시설 투자 1위 고수…14조5000억원 투척

노동균 기자
입력 2017.03.07 09:51
삼성전자가 작년에 이어 2017년에도 세계 반도체 업계에서 가장 많은 규모의 시설투자(CAPEX)를 단행할 전망이다.

메모리 반도체 시장 호황에 힘입어 삼성전자가 올해도 반도체 업계에서 가장 많은 시설투자를 단행할 전망이다. / 삼성전자 제공
7일 반도체 시장조사기관 IC인사이츠는 삼성전자 반도체 부문의 올해 시설투자 전망치가 지난해보다 11% 늘어난 125억달러(14조5000억원) 규모가 될 것으로 전망했다.

삼성전자는 지난해 반도체 부문에서 13조2000억원의 시설투자를 집행했다. 메모리 반도체와 시스템 반도체의 투자 비중은 8대 2 수준이었다.

SK하이닉스는 올해 시설투자에 60억달러(7조원)을 집행할 전망이다. SK하이닉스의 시설투자액은 삼성전자, 인텔, TSMC에 이어 세계 4위다.

인텔의 올해 예상 시설투자 규모는 120억달러(14조원)로 삼성전자에 이어 2위다. 인텔은 2016년에도 2015년 대비 시설투자액을 31% 늘렸고, 올해도 25% 늘릴 것으로 예상된다.

대만의 반도체 수탁생산(파운드리) 기업 TSMC는 작년보다 소폭 감소한 100억달러(11조6000억원)을 시설투자액으로 책정했다.

삼성전자와 SK하이닉스는 지난해 D램 시장의 약세 때문에 시설 투자액을 줄였다. 하지만 지난해 하반기부터 D램 시장이 성장세로 돌아섰고, 3D 낸드플래시 시장 호황이 점쳐지면서 올해 시설투자 규모를 전반적으로 확대했다.

삼성전자는 경기도 평택에 세계 최대 규모의 반도체 단지를 건설 중이며, 올해 중순부터 3D 낸드플래시를 양산할 계획이다.

SK하이닉스도 올해 D램 투자를 줄이고, 3D 낸드플래시 생산량 확대에 투자를 집중할 방침이다. SK하이닉스는 올해 시설투자액 증가분을 경기도 이천 낸드플래시 공장에 사용할 예정이다.

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