SK하이닉스는 미래 반도체 분야 기술을 혁신할 아이디어 발굴을 위해 '미래 반도체 혁신기술 아이디어 공모전'을 개최한다고 27일 밝혔다.
SK하이닉스는 이번 공모전을 위해 미래기술연구원 내 위원회를 만들어 D램, 낸드플래시, 신소재 등 분야 박사급 전문가를 심사위원으로 선정했다. 이들은 미래 메모리 반도체 기술 변화에서 새로운 아이디어가 필요한 8개 주제를 선정하고 심사·검증·제품화 과정을 챙긴다.
공모 주제는 ▲D램 스케일링 한계 극복을 위한 새로운 셀 구조 ▲메모리 반도체 소자의 셀 어레이 배선 저항 및 기생 정전 용량 감소 ▲3D 낸드 층별 집적도 증가를 위한 새로운 구조 ▲초고층 3D 낸드 셀 채널 모빌리티 개선 ▲새로운 메모리 소자 및 구조 ▲뉴로모픽 컴퓨팅 칩 응용을 위한 신개념 시냅스/뉴런 소재 및 특성 확보 ▲새로운 개념의 선택소자 ▲메모리 반도체 소자의 스케일링 한계 극복을 위한 소재 등 총 8개다.
SK하이닉스는 서류 및 발표 심사를 거쳐 선정된 최우수 아이디어 1건에 5000만원, 우수 아이디어 2건에 각 2000만원씩 총 1억3000만원을 쓴다.
홍성주 SK하이닉스 미래기술연구원 부사장은 "이번 공모전을 통해 한국 반도체 산업 종사자의 역량을 결집하고 미래를 준비하는 소통 기회가 되기를 바란다"라고 말했다.