삼성전자는 2017년 시설투자 규모가 46조2000억원이 될 것이라고 31일 공시했다.

시설투자 규모는 2016년(25조5000억원) 대비 20조7000억원 증가한 것이다. 사업별로는 반도체 29조5000억원, 디스플레이 14조1000억원이다.

삼성전자 평택 캠퍼스 내 반도체 생산라인(평택 1라인) 외관. / 삼성전자 제공
삼성전자 평택 캠퍼스 내 반도체 생산라인(평택 1라인) 외관. / 삼성전자 제공
3분기 시설투자는 총 10조4000억원이며, 반도체에는 7조2000억원, 디스플레이에 2조7000억원이 투자됐다. 3분기 누계는 32조9000억원이 집행됐으며 4분기 13조3000억원을 집행할 예정이다.

메모리 분야에서는 V낸드 수요 증가 대응을 위한 평택 1라인 증설과 D램 공정전환을 위한 투자 등이 진행되고 있다. 파운드리는 10나노 공정 생산라인 증설이 투자되고 있다. 디스플레이는 플렉서블 OLED 패널 고객 수요에 대응하기 위한 생산라인 증설 투자가 진행 중이다.

4분기 투자는 상당 부분이 반도체 사업에 투자될 예정이다. 주로 신규부지 조성과 클린룸 공사 등 인프라 구축에 쓰일 전망이다.