퀄컴 스냅드래곤845 사양 중국서 유출…10나노 공정 기반

유진상 기자
입력 2017.11.01 20:33
퀄컴의 차세대 모바일 애플리케이션프로세서(AP)인 스냅드래곤 845 칩셋의 사양이 중국에서 유출됐다.

중국에서 유출된 퀄컴 스냅드래곤 845 칩셋의 사양. / 폰아레나 갈무리
10월 31일(현지시각) 폰아레나 등 주요 외신에 따르면 중국에서 스냅드래곤 845 칩셋의 상세 사양이 유출됐다. 스냅드래곤845는 삼성전자 갤럭시S9과 LG G7 등에 탑재될 것으로 예상된다.

유출된 스펙시트에 따르면 스냅드래곤 845는 스냅드래곤 835와 비교해 25%쯤 향상된 성능을 제공하는 코어텍스-A75 코어 4개와 코어텍스-A53 코어 4개로 구성된다. GPU는 아드레노 630이 탑재된다. 또 퀄컴이 2017년 초 모바일월드콩그레스(MWC) 2017에서 선보인 신형 X20 LTE 모뎀을 장착한다

제조 공정 과정은 삼성전자 10나노 LPE 공정으로 보인다. 최근 삼성전자가 10나노(nm) 2세대 공정을 기반으로 한 '8나노 파운드리 공정' 개발을 완료했다고 밝혀 업계에서는 이 공정을 기반으로 스냅드래곤 845가 제작될 것으로 예상했다. 하지만 정보를 보면 2세대 10나노 LPE 공정을 기반으로 한다.

한편, 퀄컴은 12월 4일부터 8일까지 미국 하와이에서 열리는 '스냅드래곤 테크놀러지 서밋(Snapdragon Technology Summit)에서 스냅드래곤 845 칩셋을 공개하고 2018년 1분기 출시할 것으로 예상된다.


T조선 뉴스레터 를 받아보세요! - 구독신청하기
매일 IT조선 뉴스를 받아보세요 닫기