삼성, 화성 新 반도체 공장 착공…7나노 이하 미세공정 한계 돌파

노동균 기자
입력 2018.02.23 13:29
삼성전자가 23일 경기도 화성 캠퍼스에서 '삼성전자 화성 극자외선(EUV) 라인 기공식'을 열고 본격적으로 공장 건설에 착수했다고 밝혔다.

삼성전자 화성 캠퍼스 EUV 라인 조감도. / 삼성전자 제공
23일 착공에 들어간 삼성전자 화성 EUV 라인은 2019년 하반기 완공해 시험 생산을 거쳐 2020년부터 가동을 시작할 예정이다. 삼성전자가 화성 EUV 라인에 집행한 2020년까지의 초기 투자금은 60억달러(6조4700억원)에 달한다.

화성 EUV 라인의 핵심인 EUV 노광 장비는 반도체 미세공정 한계 극복에 필수적인 설비다. 삼성전자는 그동안 반도체 공정 미세화를 통해 집적도를 높이고, 세밀한 회로를 구현해 반도체 성능과 전력 효율을 높인 제품을 만들어왔다.

하지만 최근 한 자릿수 나노미터(㎚, 10억분의 1m) 단위까지 미세화가 진행됨에 따라 보다 세밀한 회로를 구현을 위해 기존 불화아르곤(ArF) 광원보다 파장이 짧은 EUV 노광 장비 도입이 불가피했다.

삼성전자는 EUV 노광 장비 도입 전 기존 노광 장비로 구현할 수 있는 가장 미세한 공정인 8LPP(8나노 Low Power Plus) 공정을 2017년 개발 완료했다. 삼성전자는 EUV 노광 장비 도입으로 반도체 성능과 전력 효율을 높이고, 회로 형성을 위한 공정 수를 줄여 생산성을 획기적으로 높일 수 있을 것으로 내다본다.

삼성전자는 화성 EUV 라인을 통해 향후 고성능과 저전력이 요구되는 첨단 반도체 시장 수요에 대응하고, 7나노 이하 파운드리 미세공정 시장을 주도해 나간다는 계획이다.

김기남 삼성전자 DS부문장은 "화성 캠퍼스는 EUV 신규 라인 구축을 통해 기흥·화성·평택으로 이어지는 반도체 클러스터의 중심이 될 것이다"며 "삼성전자는 산·학·연 및 업계와의 상생 협력을 통해 국가 경제에 기여하겠다"고 말했다.

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