일본 도시바메모리가 미국 웨스턴디지털과 함께 19일 미에현 욧카이치시에서 최신 반도체 제조라인 ‘팹6’와 메모리 R&D 센터 건립을 완공하고 준공식을 열었다.
양사는 9월 초부터 팹6에서 96단 3D 낸드플래시 메모리 양산을 본격적으로 시작했다.
팹6와 인접한 곳에 위치한 메모리 R&D 센터는 3월부터 운영을 시작해 향후 3D 낸드플래시 메모리 개발 관련 연구를 수행한다.
도시바메모리가 팹6를 마련한 배경에는 서버, 데이터센터, 스마트폰 등에서 3D 낸드플래시 메모리 수요가 급증하고 있다는 판단이 작용했다. 도시바메모리는 낸드플래시 메모리 시장 성장세가 향후 수년간 지속될 것으로 내다보고, 시장 상황에 따라 추가적인 투자도 이어갈 예정이다.