삼성전자가 신개념 고성능 반도체 구현을 위한 ‘3나노 공정' 구현에 본격 뛰어들었다.
삼성전자는 14일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래아에서 개최한 ‘삼성 파운드리 포럼 2019’에서 차세대 3나노 GAA(Gate-All-Around) 공정설계 키트를 팹리스(반도체 설계 전문업체) 고객사들에 배포했다. 지난해 GAA를 3나노 공정에 도입하겠다는 전략을 밝힌 데 이은 결정으로 업계가 제품 설계 지원을 위해 3GAE(3나노 Gate-All-Around Early)의 공정설계 키트를 제공한 것이다. 삼성 파운드리 포럼은 매년 파운드리(위탁생산) 사업 로드맵과 신기술을 소개하기 위해 열리는 행사다.
삼성전자는 이번 행사에서 3나노 공정에서 독자 기술인 MBCFET(Multi Bridge Channel FET)를 통해 팹리스 고객사에 차별화된 제품을 제공할 계획이라고 밝혔다. MBCFET는 기존의 가늘고 긴 와이어 형태의 GAA 구조를 발전시켜 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노 시트를 적층하는 방식으로, 기존 설비와 제조 기술을 그대로 활용해 성능과 전력효율을 높일 수 있다.
팹리스 업체들은 이 서비스를 통해 삼성전자와 파트너사들이 제공하는 공정설계 키트, 설계 방법론, 자동화 설계 툴, 설계자산 등을 이용해 투자 비용을 줄이는 동시에 빨리 반도체를 제작할 수 있다. 이번 포럼에는 글로벌 팹리스 고객과 파트너사의 관계자 800여명이 참가해 4차 산업혁명 시대를 주도한 반도체 기술을 공유했다.
정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장은 "반도체 분야의 앞선 기술뿐 아니라 파운드리 업계 및 고객과 비전을 공유하는 것도 매우 중요하다"며 "이번 포럼을 통해 기술적 성과와 목표를 공유할 수 있어 기쁘다"고 말했다.
삼성전자는 다음달 5일에는 중국 상하이(上海)에서, 오는 7월 3일에는 서울에서, 9월 4일에는 일본 도쿄(東京)에서, 10월 10일에는 독일 뮌헨에서 각각 파운드리 포럼을 이어갈 예정이다.