대만 반도체 파운드리(위탁생산)업체 TSMC가 3㎚ 반도체 미세공정 개발이 순조롭게 진행되고 있다고 밝혔다. 삼성전자도 2018 파운드리 포럼에서 3㎚ 반도체 미세공정 제품을 2022년 출시한다는 목표를 알린 바 있다.

23일 웨이(Wei) TSMC 대표 및 의장은 성명을 내고 N3(3㎚) 기술 개발이 순조롭게 진전되고 있다고 밝혔다. 이미 기술 정의를 확립, 초기 소비자와 수급 여부를 타진하고 있으며 주요 파트너의 요구 사항을 충족할 것이라고도 말했다.

TSMC 공정 현장. / TSMC 홈페이지 갈무리
TSMC 공정 현장. / TSMC 홈페이지 갈무리
TSMC의 3㎚ 반도체 미세공정은 현행 7㎚ 반도체 공정에 사용되는 EUV(극자외선, Extreme Ultraviolet)와 DUV(단자외선, Deep Ultraviolet)를 함께 사용하는 것으로 알려졌다. 그러면서도 5㎚ 반도체 미세공정과는 다른, 완전히 새로운 공정 기술로 구성될 전망이다.

앞서 2018년 삼성전자 역시 3㎚ 반도체 미세공정 개발 계획을 밝혔다. 7㎚ 반도체 미세공정에 EUV를 도입 후 5㎚ 및 4㎚ 공정 제품을 각각 2019년과 2020년에 생산한다. 이어 3㎚ 반도체 미세공정을 새로운 구조로 설계해 2022년까지 생산한다는 목표였다.

이 목표는 진행중이다. 삼성전자는 4월 5㎚ 반도체 미세공정 개발 및 7㎚ 제품 양산을 알렸다. 6㎚ 제품 생산도 논의 중이다. 단, 일본측의 반도체 소재 수출 규제가 이어질 경우 목표 달성에 차질이 생기리라는 전망이 나온다.