삼성전자가 세계 최초로 3나노 공정기술 개발에 성공, 2030년 시스템 반도체 1위 달성 목표에 한발 다가섰다. 경쟁업체인 대만 TSMC보다 빠른 속도로 3나노 공정기술 개발에 성공한 삼성전자는 2일 화성사업장을 방문한 이재용 삼성전자 부회장이 지켜보는 가운데 기술을 시연했다. 삼성전자는 지난해 말 이 공정기술을 통해 시제품의 전단계인 ‘워킹 샘플’을 구현하는데 성공한 것으로 확인됐다.

화성사업장 직원과 인사를 나누는 이재용 삼성전자 부회장 / 삼성전자 제공
화성사업장 직원과 인사를 나누는 이재용 삼성전자 부회장 / 삼성전자 제공
삼성전자는 3나노 공정이 적용된 제품을 2022년 본격 양산한다는 계획이다. 삼성전자 관계자는 "이번 3나노 공정기술 개발은 2022년 양산을 위한 과정"이라며 "기술개발은 일정대로 진행되고 있다"고 설명했다. 이번 워킹 샘플 구현으로 삼성전자는 본격적인 양산을 위한 작업에 착수할 수 있게 됐다.

삼성전자에 따르면 반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술 'GAA(Gate- All-Around)'를 적용한 3나노 반도체는 최근 공정 개발을 완료한 5나노 제품보다 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있다. 소비전력은 5나노 제품보다 50% 감소시키면서도 성능(처리속도)은 약 30% 향상할 수 있다.

삼성전자와 파운드리 분야에서 경쟁하는 TSMC는 2020년 5나노, 2022년 3나노 칩 양산을 목표로 세웠다. 삼성전자의 3나노 공정기술 개발로 TSMC가 3나노 칩 양산 시기를 앞당길 가능성도 제기된다. 이 경우 삼성전자도 3나노 칩 양산 시기를 올 하반기로 조정할 수 있다. TSMC는 2023년 3나노 공정을 도입하겠다는 계획을 2022년으로 조정한 바 있다.

최신 공정을 적용한 칩 양산을 먼저 시작해야 향후 관련 제품과 기업들의 물량을 따낼 수 있다는 점에서 삼성전자와 TSMC의 기술 개발과 제품 양산 경쟁은 더욱 치열해질 전망이다.

이날 삼성전자는 화성사업장을 찾은 이재용 삼성전자 부회장은 "역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것이다. 새로운 미래를 개척해 나가자"며 기술개발의 중요성을 강조했다.