반도체 웨이퍼 제조 장비와 서비스를 공급하는 램리서치가 극자외선 패터닝(EUV patterning)에 사용할 건식 레지스트 신기술을 26일(현지 시간) 미국 새너제이에서 개최된 국제광공학회 콘퍼런스에서 발표했다.

EUV 노광 공정에 이번 신기술이 확대·적용되면 회로 선폭 미세화의 관건인 해상력을 높여 수율과 생산성을 크게 향상할 수 있을 것으로 기대를 모은다.

 . / 램리서치 제공
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램리서치가 공개한 새로운 건식 레지스트 기술로 EUV 리소그래피 공정에 대한 비용 절감 효과도 예상된다.

리소그래피란 반도체 공정 중 웨이퍼 위에 회로 패턴을 형성하는 공정을 말한다.

현재 글로벌 최첨단 칩 제조 업체들은 EUV 리소그래피 시스템을 대량 생산에 사용하기 때문에 이번 건식 레지스트 신기술이 제공하는 해상력과 생산성은 향후 공정 노드를 효율적으로 확대하는 데 크게 기여할 수 있다. 소재 사용량도 5분의 1에서 10분의 1까지 줄일 수 있어 비용 절감 또한 가능하다.

팀 아처 램리서치 회장 겸 최고경영자는 "램리서치는 앞으로도 증착과 식각 분야를 선도해 가면서도 이번 기술을 통해 패터닝 솔루션을 포토 레지스트 리소그래피 재료로까지 넓힐 것"이라며 "이번 건식 레지스트 신기술은 EUV의 생산성과 효율성을 확대하는 램리서치 패터닝 전략의 방향성을 보여주는 것"이라고 말했다.

이번 건식 레지스트 신기술은 램리서치와 ASML, 다국적 반도체 연구소인 imec의 전략적 제휴를 통해 개발됐다고 덧붙였다.