삼성전자가 낸드플래시 부문에서 200단이 넘는 8세대 V낸드 기술을 확보했다고 밝혔다. 향후에는 1000단 낸드 시대도 주도해나갈 것이라며 자신감을 드러냈다.

송재혁 삼성전자 플래시개발실장(부사장)은 8일 삼성전자 뉴스룸 기고문에서 "낸드플래시도 언젠가는 높이의 한계에 마주하게 될 것이다"라며 "삼성전자는 업계 최소 셀사이즈를 구현한 ‘3차원 스켈링(3D Scaling)’ 기술로 가장 먼저 높이의 한계를 극복하는 회사가 될 것이다"라고 밝혔다.

낸드플래시 메모리는 데이터를 저장하는 용도의 반도체다.

삼성전자 V7 SSD 이미지컷 / 삼성전자
삼성전자 V7 SSD 이미지컷 / 삼성전자
송 부사장은 자사가 세계 최초로 개발한 V낸드의 단수 경쟁이 치열해지면서 똑같은 단수여도 높이를 최대한 낮게 쌓아 크기를 줄이는 것이 핵심 경쟁력이 됐다고 설명했다.

삼성전자가 하반기 출시할 7세대 V낸드는 3차원 스켈링 기술로 체적을 최대 35%까지 줄였다. 이는 마이크론 등 경쟁사의 6세대 낸드와 비슷한 크기다. 똑같은 176단 낸드라도 삼성전자 제품 크기가 더 작다는 의미다.

송 부사장은 "삼성전자가 200단이 넘는 8세대 차세대 낸드 동작 칩도 확보했다"고 소개하며 "시장 상황과 고객의 요구에 따라 적기에 제품을 선보이기 위해 만반의 준비를 하고 있다"고 강조했다.

그는 "삼성전자는 한 번에 100단 이상을 쌓고 10억개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 ‘싱글스택 에칭’ 기술력을 가진 유일한 기업이다"라며 "향후 높이의 물리적 한계를 극복하고 초고단으로 갈 수 있는 기술 리더십을 확보하고 있다"고 설명했다.

이어 "V낸드 미래는 앞으로 1000단 이상을 바라보고 있다"며 "향후 1000단 V낸드 시대에도 삼성전자의 혁신 기술력을 기반으로 시장을 주도하겠다"고 말했다.

이광영 기자 gwang0e@chosunbiz.com