# 삼성전자는 평택에 반도체 공장을 건설 중이다. 평택 공장의 완공은 당초 내년 초로 예정돼 있었지만 삼성전자는 가동 시기를 3개월 앞당겼다. 시기를 앞당긴 것은 4세대 64단 3D 낸드(NAND) 플래시를 생산하기 위해서다. 또 삼성전자는 2조5000억원을 투자해 화성 반도체 공장 17라인의 3D 낸드플래시 생산 용량 증설을 추진 중이다.

# SK하이닉스는 연내 48단 3D 낸드 플래시 제품 개발을 마무리한다는 목표다. 내년 상반기에는 72단 제품까지 개발하는 한편 내년 말에는 전체 생산 품목의 50% 이상을 3D낸드로 채우겠다는 계획이다.

삼성 3D V낸드 플래시 메모리. / 삼성전자 제공
삼성 3D V낸드 플래시 메모리. / 삼성전자 제공
D램(DRAM)은 반도체 업계의 캐시카우였고 지금도 반도체 시장을 이끌고 있다. 하지만 D램은 지난해 하반기부터 급격한 하향세에 접어들었다. 이에 반도체 업체들은 낸드(NAND) 플래시로 눈을 돌리고 있다. 반도체 시장의 판이 바뀌는 모습이다.

관련업계에 따르면 반도체 업체들의 3D 낸드 라인 투자가 공격적으로 이뤄지고 있다. 반도체 업체들의 투자 금액도 낸드플래시가 D램을 넘어섰다. 시장조사 업체인 IHS에 따르면 올해 글로벌 낸드 투자금액은 130억달러(14조8300억원)다. 반명 D램 투자는 118억달러(13조4500억원)로 추정된다. 2017년에도 낸드와 D램 투자액은 142억달러(16조2000억원)와 116억7500만달러(13조3200억원)로 전망된다.

JP모건은 "현재 낸드 수요는 D램의 7배 수준이지만 2025년이 되면 30배로 늘어날 것으로 전망된다"며 "낸드 시장은 2017년 337억달러(38조5000억원)으로 332억달러(37조9000억원)인 D램 시장을 넘어설 것으로 전망된다"고 밝혔다.

이는 세계적으로 불고 있는 '4차산업혁명'에 따라 인공지능 플랫폼 기반의 자율주행, 로봇, 헬스케어, VR, 스마트홈 서비스 등이 확대되면서 서버 투자 확대와 저장 메모리 수요가 증가하기 때문이다. 여기에 기존 컴퓨터 저장장치인 하드디스크드라이브(HDD)를 솔리드스테이트드라이브(SSD)가 대체하면서 3D 낸드 시장은 더욱 급성장 하고 있다.

PC 시장의 수요 감소로 인한 D램 수요가 줄어든 것도 낸드 플래시 투자가 늘어나는 이유다. 수요보다도 공급이 많아지니 D램의 가격은 하락했다. 가격하락은 기업들의 적자로 이어질 수 밖에 없다.

특히 미세 공정이 이뤄져야 생산 단가가 낮아지는데, 현재 대다수의 반도체 업체들은 20나노의 벽에 부딪혀 있는 상황이다. 공정이 미세해 질수록 원가를 낮출 수 있어 더 저렴한 가격으로 시장에서 승부가 가능해 진다. 이미 삼성전자는 18나노 공정에 돌입해 있으며, SK하이닉스와 마이크론이 20나노 공정을 늘리는 이유다. 이미 반도체 3강 체제가 굳혀진 상황에서 후발 기업들이 신기술로 눈을 돌리는 이유이기도 하다.

낸드 시장은 이미 삼성전자가 선점한 상황이다. 도시바와 마이크론, 인텔, SK하이닉스 등 경쟁사들도 3차원 낸드 경쟁력을 빠르게 키우고는 있지만 기술격차는 3년 정도로 벌어진 상황이다. 웨스턴디지털이 글로벌 4위 낸드 생산업체 샌디스크를 인수하면서 중국도 사실상 낸드 시장에 진입했다. 웨스턴디지털의 최대주주는 중국 칭화유니그룹의 자회사 유니스플렌더다.

이정 유진투자증권 연구원은 "공급 과잉에 처한 D램 산업에서 공급업체들의 투자는 제한적으로 진행중이다"라며 "3D 낸드 투자는 2016년 이후 모든 업체들로 확산되고 있다"고 말했다.

어규진 이베스트투자증권 연구원은 "SK하이닉스를 비롯해 도시바, 마이크론 등 글로벌 경쟁 업체들의 3D낸드 투자가 2017년 이후 본격화될 것으로 전망된다"고 밝혔다.