SK하이닉스는 새로운 공정이 기존 공정 생산량을 웃도는 '빅 크로스 오버(Big cross over)'가 낸드플래시는 올해 말, D램은 내년 말 이후가 될 것으로 내다봤다.

SK하이닉스 관계자는 25일 1분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 "3D 낸드플래시는 올해 이천 M14 공장에 신규 클린룸 건설이 완료되면 연말부터는 2D 비중을 넘어설 것으로 예상한다"고 말했다.

그는 D램과 관련해서는 "D램 1x나노(10나노 초반대 제품)는 올해 하반기 양산을 시작하면 연말에는 패키지 비중에서 10%가 채 안 될 것이기 때문에 1x급이 50% 이상 전환되는 시기는 빨라야 2018년 말에서 2019년 초가 유력해 보인다"고 덧붙였다.