2017년 전 세계 반도체 전공정공장(팹) 건설 및 장비 투자액이 전년 대비 41% 증가했는데, 메모리 반도체 시장을 이끄는 삼성전자와 SK하이닉스가 전체 팹 장비 투자 규모를 견인한 것으로 나타났다.

국제반도체장비재료협회(SEMI)가 3일 발표한 세계 팹 전망 보고서를 보면, 2017년 팹 투자액은 사상 최고치인 570억달러(60조6770억원)에 달할 전망이다. 이는 2016년 400억달러(42조5800억원)보다 41% 증가한 수치다.

2004~2018년 전 세계 반도체 팹 투자액 현황. / 국제반도체장비재료협회(SEMI) 제공
2004~2018년 전 세계 반도체 팹 투자액 현황. / 국제반도체장비재료협회(SEMI) 제공
SEMI는 보고서에서 "인텔, 마이크론, 도시바, 웨스턴디지털, 글로벌파운드리 등 많은 반도체 기업이 2017년 팹 투자를 늘렸지만, 전반적인 투자액 증가는 단 두 회사(삼성전자·SK하이닉스)와 한 지역(한국)의 지출을 반영한 것으로 해석된다"고 논평했다.

삼성전자는 2017년 팹 투자에 180억달러(19조1610억원)를 지출해 2016년 80억달러(8조5160억원)보다 투자액을 128% 늘렸다. SK하이닉스 또한 2017년 전년 대비 70% 증가한 55억달러(5조8550억원)를 팹에 투자했다. SEMI는 이것이 역사상 가장 큰 지출 수준이라고 설명했다.

SEMI는 2017년 메모리 반도체 가격 상승과 반도체 업계의 치열한 경쟁으로 인해 공격적인 팹 투자가 이뤄졌으며, 2018년에도 삼성전자와 SK하이닉스를 중심으로 이러한 추세가 이어질 것으로 내다봤다. SEMI의 2018년 전 세계 팹 투자액 전망치는 2017년보다 11% 증가한 630억달러(67조640억원)에 이른다.

2012~2018년 주요 지역별 반도체 팹 투자 현황. / 국제반도체장비재료협회(SEMI) 제공
2012~2018년 주요 지역별 반도체 팹 투자 현황. / 국제반도체장비재료협회(SEMI) 제공
한편, 2018년에는 중국의 팹 투자도 대폭 증가할 전망이다. SEMI는 2018년 중국계 기업이 58억달러(6조1740억원)를 투자할 것으로 예상했다. SEMI는 팹 투자에 적극적인 주요 중국 반도체 기업으로 양쯔강메모리테크놀로지, 푸젠진화반도체, 후아리, 허페이창신메모리 등을 거론했다.