삼성전자가 업계 최초로 ‘3세대 10나노급(1z) D램(DRAM)’ 제품을 선보이며 경쟁사와의 격차를 더욱 벌리고 시장 주도기업으로서의 위치를 더욱 공고히 한다. 이전 세대 대비 생산성은 20% 향상되고, 작동속도가 상승하면서 전력 효율이 더욱 개선된 것이 특징이다.
특히 이번 3세대 10나노급(1z) D램을 채택한 PC용 DDR4 모듈은 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목을 통과함으로써 양산과 동시에 시장에 바로 적용할 수 있다. 삼성전자는 올해 하반기부터 이 제품을 양산할 계획이다.
또한, 내년인 2020년에는 평택의 차세대 라인을 중심으로 성능과 용량을 모두 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급해 초미세 공정 기반 메모리 기술 리더십을 더욱 강화한다는 방침이다.
이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 되었다"며 "향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것이다"라고 말했다.