삼성전자, 차세대 고성능 반도체 구현 박차

입력 2019.05.15 08:45 | 수정 2019.05.15 09:41

삼성전자가 신개념 고성능 반도체 구현을 위한 ‘3나노 공정' 구현에 본격 뛰어들었다.

삼성전자는 14일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래아에서 개최한 ‘삼성 파운드리 포럼 2019’에서 차세대 3나노 GAA(Gate-All-Around) 공정설계 키트를 팹리스(반도체 설계 전문업체) 고객사들에 배포했다. 지난해 GAA를 3나노 공정에 도입하겠다는 전략을 밝힌 데 이은 결정으로 업계가 제품 설계 지원을 위해 3GAE(3나노 Gate-All-Around Early)의 공정설계 키트를 제공한 것이다. 삼성 파운드리 포럼은 매년 파운드리(위탁생산) 사업 로드맵과 신기술을 소개하기 위해 열리는 행사다.

삼성전자 파운드리 공정 일정
3GAE 공정은 최신 양산 공정인 7나노 핀펫보다 칩 면적을 45%가량 줄일 수 있다. 또한, 소비전력을 50% 줄이고 성능은 약 35% 향상시킬 수 있다. 3나노 이하 초미세 회로에 도입될 GAA 구조의 트랜지스터는 모바일과 인공지능(AI), 5G, 전장, 사물인터넷(IoT) 등 고성능·저전력을 요구하는 차세대 반도체에 활용될 것으로 전망된다.

삼성전자는 이번 행사에서 3나노 공정에서 독자 기술인 MBCFET(Multi Bridge Channel FET)를 통해 팹리스 고객사에 차별화된 제품을 제공할 계획이라고 밝혔다. MBCFET는 기존의 가늘고 긴 와이어 형태의 GAA 구조를 발전시켜 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노 시트를 적층하는 방식으로, 기존 설비와 제조 기술을 그대로 활용해 성능과 전력효율을 높일 수 있다.

삼성전자 클린룸, 반도체 생산현장
이와 함께 삼성전자는 팹리스 고객사에 설계 편의를 제공하기 위해 '세이프 클라우드(SAFE-Cloud)' 서비스를 시작한다고 밝혔다. 아마존 웹 서비스(AWS), 마이크로소프트(MS)와 자동화 설계툴(EDA) 회사인 케이던스, 시놉시스 등과 함께 진행하는 이 서비스는 속도와 보안성이 검증된 클라우드 환경을 제공하는 것이다.

팹리스 업체들은 이 서비스를 통해 삼성전자와 파트너사들이 제공하는 공정설계 키트, 설계 방법론, 자동화 설계 툴, 설계자산 등을 이용해 투자 비용을 줄이는 동시에 빨리 반도체를 제작할 수 있다. 이번 포럼에는 글로벌 팹리스 고객과 파트너사의 관계자 800여명이 참가해 4차 산업혁명 시대를 주도한 반도체 기술을 공유했다.

정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장은 "반도체 분야의 앞선 기술뿐 아니라 파운드리 업계 및 고객과 비전을 공유하는 것도 매우 중요하다"며 "이번 포럼을 통해 기술적 성과와 목표를 공유할 수 있어 기쁘다"고 말했다.

삼성전자는 다음달 5일에는 중국 상하이(上海)에서, 오는 7월 3일에는 서울에서, 9월 4일에는 일본 도쿄(東京)에서, 10월 10일에는 독일 뮌헨에서 각각 파운드리 포럼을 이어갈 예정이다.


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