SK하이닉스가 2세대 제품보다 생산성을 약 27% 높인 3세대 10나노 16Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다. 올해까지 양산 준비를 마치고 2020년 본격 공급에 나선다는 계획이다.
SK하이닉스 3세대 10나노급 DDR4 D램은 초고가의 EUV 노광 공정 없이도 생산이 가능해 원가경쟁력을 갖췄다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 소비효율도 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비량을 약 40% 줄였다.
3세대 제품에는 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질이 적용돼 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance)을 극대화했다. 정전용량은 전하를 저장할 수 있는 양 또는 능력으로, 데이터 유지시간 및 정합도(최대 출력으로 신호를 전송하는 방법)를 좌우한다.
이정훈 SK하이닉스 D램개발사업 1z TF장 담당은 "3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖췄다"며 "고성능·고용량 D램을 찾는 소비자 수요 변화에 가장 적합한 제품이다"고 말했다.
SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR(Low Power DDR)5와 초고속 D램 HBM(High Bandwidth Memory)3 등에 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용할 방침이다.
HBM3는 HBM의 3세대 제품이다. HBM은 고대역폭 메모리로 TSV(Through Silicon Via, D램 칩에 미세한 구멍을 만들어 수직으로 관통하는 전극으로 연결) 기술을 활용해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품이다. 세대가 올라갈수록 속도가 더욱 향상된다.