이재용 삼성전자 부회장이 새해 첫 업무로 삼성전자 화성사업장 3나노 반도체 개발 현장을 찾았다. 삼성전자는 메모리에 이어 시스템반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하겠다는 강한 의지로 해석했다. 이 부회장도 현장에서 "역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것"이라며 새로운 미래 개척을 강조했다.

이재용 삼성전자 부회장(앞줄 왼쪽)이 사업장에 들어가기에 앞서 직원들과 인사를 나누고 있다./자료 삼성전자 제공
이재용 삼성전자 부회장(앞줄 왼쪽)이 사업장에 들어가기에 앞서 직원들과 인사를 나누고 있다./자료 삼성전자 제공
삼성전자는 2일 이재용 부회장이 화성사업장 내에 있는 반도체 연구소를 찾아 3나노 공정기술을 보고 받고 DS부문 사장단과 함께 차세대 반도체 전략을 논의했다고 전했다.

삼성전자는 "이 부회장이 새해 첫 경영 행보를 반도체 개발 현장에서 시작한 것은 의미가 있다"며 "메모리에 이어 시스템 반도체 분야에서도 세계 1위가 되겠다는 비전을 다시 한번 임직원과 공유해 목표달성 의지를 다진 것"이라고 밝혔다.

반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술 'GAA(Gate- All-Around)'를 적용한 3나노 반도체는 최근 공정 개발을 완료한 5나노 제품보다 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있다고 알려졌다. 소비전력은 5나노 제품보다 50% 감소시키면서도 성능(처리속도)은 약 30% 향상할 수 있다.

이재용 부회장은 "과거의 실적이 미래의 성공을 보장해주지 않는다"며 "역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것이다. 잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자"고 전했다.