삼성 반도체, 초격차 전략 ‘순항’…업계 최초 D램에 EUV 공정 적용

입력 2020.03.25 09:56 | 수정 2020.03.25 10:41

삼성이 업계 최초로 D램에 극자외선(EUV) 공정을 적용해 제품을 양산하는 데 성공했다.

삼성전자는 D램에 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대 10나노급 DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 글로벌 고객사에 공급해 성공적 평가를 마쳤다고 25일 밝혔다.

EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 ‘멀티 패터닝 공정’을 줄이면서 패터닝 정확도를 높일 수 있다. 성능과 수율을 올리면서 제품 개발 기간을 단축해 효율이 올라간다.

삼성전자 EUV 전용 V1 라인과 D램 모듈(왼쪽부터) / 삼성전자 제공
삼성전자는 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급 D램(DDR5, LPDDR5)을 내년 양산하고 5세대, 6세대 D램 개발에도 박차를 가해 기술 리더십을 유지한다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다"며, "내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속해서 성장하는 데 기여할 것"이라고 말했다.

삼성전자는 올 하반기 평택 신규 라인을 가동해 증가하는 차세대 프리미엄 D램 수요에 안정적으로 대응할 수 있는 양산 체제를 구축하겠다고 밝혔다.


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