삼성전자 평택 2라인 가동…"첨단 EUV 공정 적용 모바일 D램 생산"

입력 2020.08.30 11:00

삼성전자가 글로벌 최대 규모 반도체 공장인 ‘평택 2라인’을 본격 가동했다고 30일 밝혔다. 평택 2라인은 업계 최초로 EUV(Extreme Ultraviolet, 극자외선) 공정을 적용한 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램을 생산한다.

삼성전자 평택 2라인 / 삼성전자
D램, 낸드, 파운드리까지 생산하는 글로벌 최대 규모 반도체 공장

삼성전자 평택 2라인은 연면적 12만8900㎡(축구장 16개 크기)에 달하는 글로벌 최대 규모 반도체 생산라인이다.

삼성전자 관계자는 "이번 D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 평택 2라인에서 생산된다"며 "반도체 초격차 달성을 위한 핵심 역할을 할 예정이다"라고 밝혔다.

삼성전자는 평택 2라인에 EUV 기반 파운드리 생산라인을 5월 착공했다. 6월에는 낸드플래시 생산라인도 착공했다. 두 라인은 모두 2021년 하반기 본격 가동된다.

평택 2라인은 2018년 8월, 삼성전자가 발표한 180조원 투자, 4만명 고용 계획의 일환으로 건설됐다. 이에 따라 평택 1라인에 이어 평택 2라인에도 총 30조원 이상 대규모 투자가 단행된다. 직접 고용하는 인력은 약 4000명, 협력사·건설 인력을 포함하면 약 3만명 이상의 고용창출이 기대된다.

2015년부터 조성된 평택캠퍼스는 289만㎡ 부지의 삼성전자 차세대 반도체 전초기지다. 평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했다. 평택 2라인은 2018년 1월 착공돼 이번에 처음으로 D램 제품을 출하했다.

차세대 스마트폰 시장 겨냥한 최첨단 EUV D램 본격 양산

평택 2라인에서 이번에 출하된 16Gb LPDDR5 모바일 D램에는 메모리 양산제품 처음으로 EUV 공정이 적용됐다. 업계 최초 3세대 10나노(1z) LPDDR5 제품이다.

이번 제품은 기존 플래그십 스마트폰용 12Gb 모바일 D램(LPDDR5, 5,500Mb/s)보다 16% 빠른 6400Mb/s의 동작 속도를 발휘한다. 16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB(기가바이트)를 처리할 수 있다.

16Gb LPDDR5 모바일 D램은 8개의 칩만으로 16GB 제품을 구성할 수 있어 기존 제품(12Gb 칩 8개 + 8Gb 칩 4개)대비 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있다. 이를 통해 스마트폰·폴더블폰과 같이 두께가 중요한 제품에 최적의 솔루션을 제공할 수 있다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "이번 1z나노 16Gb LPDDR5는 역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시한 제품"이라며 "프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여하겠다"고 말했다.

김동진 기자 communication@chosunbiz.com

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