삼성전자가 차세대 V낸드(vertical NAND)에 '더블 스택' 기술을 도입해 256단 적층이 가능하다고 밝혔다. 128단인 6세대 V낸드의 차기작인 7세대 V낸드는 2021년 양산에 돌입한다.
더블 스택은 회로에 전류가 흐를 수 있게 두 번에 나눠 구멍을 뚫고 적층 작업을 마친 낸드 플래시 두 개를 이어 적층 단수를 높이는 기술이다. 싱글 스택 대비 공정 숫자가 많고 재료도 더 들어가 원가 상승 우려가 있다.
이어 "다만 실제 적층 단수는 소비자 수요와 시장 상황 등을 고려해 내부 전략에 따라 달라질 것이다"라며 "얼마나 쌓을 수 있냐 보다 현시점에서 시장에 최적화된 단수가 무엇이냐의 문제다"라고 설명했다.
앞서 세계 3위 메모리 제조업체인 미국 마이크론은 최근 '5세대 3D 낸드'라고 이름을 붙인 176단 낸드플래시 메모리를 업계 최초로 양산해 고객사 출하를 시작했다. SK하이닉스도 176단 4차원(4D) 낸드를 준비 중인 것으로 알려졌다.
삼성전자는 기존 128단의 6세대 V낸드를 넘어서는 7세대 V낸드를 개발하고 있다. 양산 시점은 내년으로 예정돼 있는데, 7세대 낸드의 단수는 공개하지 않았다.
한진만 전무는 "낸드플래시 수요는 스마트폰 5G 전환과 서버 SSD 수요로 2024년까지 약 30∼35％ 규모의 연평균 성장률을 보인다"며 "D램은 모바일과 서버를 중심으로 15∼20％의 연평균성장률을 나타낼 것이다"라고 말했다.
이어 "코로나19는 고통스러운 경험이었지만, 디지털 전환을 가속해 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체의 수요를 높였다"며 "삼성의 차별화된 극자외선(EUV) 시스템을 기반으로 첨단 공정을 선도하고, 시장의 높은 수요에 부응하겠다"고 강조했다.
이광영 기자 gwang0e@chosunbiz.com