인텔과 마이크론은 25nm 공정 기술을 바탕으로
한 3중셀(3bpc) 낸드 플래시 메모리를 생산한다다.
25nm 메모리 장치에 신제품 64Gb 3bpc를 적용할 경우 경쟁이 치열한 USB, SD(Secure Digital) 플래시 카드 및 전자 제품 시장에 비용 효율성과 높은 스토리지 용량을 갖출 수 있다.
IMFT(IM Flash Technologies) 낸드 플래시 합작 사업을 통해 설계된 64Gb 또는 8GB 25나노 리소그래피는 기존의 1비트(SLC: Single-Level Cell) 또는 2비트(MLC: Multi-Level Cell)와 비교하여 셀당 3비트의 정보를 저장할 수 있다.
이 장치는 인텔과 마이크론이 개발한 동일한 용량의 25nm MLC보다 크기가 20% 이상 작다. 25nm MLC는 현재 생산되고 있는 가장 작은 단일 8GB 장치다. SFF(Small Form-Factor) 플래시 메모리는 고유의 컴팩트한 디자인으로 소비자 최종 제품 플래시 카드에 특히 중요하다. 다이 크기가 131 mm2로 업계 표준 TSOP 패키지형태로 출시될 예정이다.
인텔 부사장 겸 인텔 낸드 솔루션 그룹 총 책임자인 톰 팸폰(Tom Rampone)은 "지난 1월 25나노 기술을 업계에서 가장 작은 다이 크기를 발표한 데 이어 바로 3중 셀로 옮겨간 인텔은 이 여세를 몰아 고객에게 업계 선두의 뛰어난 제품군을 제공하고 있다"라며, "인텔은 IMFT의 뛰어난 설계 및 제조 역량을 활용하여 새로운 8GB TLC 25나노 낸드 장치를 바탕으로 한 저렴한 고밀도 제품을 고객에게 제공할 계획이다"라고 전했다.
IT조선 홍진욱 기자 honga@It.co.kr
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