삼성전자는 SAP(에스에이피)와 차세대 인메모리 데이터베이스 플랫폼 연구 개발을 위한 '공동 리서치센터'를 내달부터 운영한다고 29일 밝혔다.
공동 리서치센터는 삼성전자와 SAP가 2015년 인메모리 플랫폼인 'SAP 하나(HANA)'의 공동 기술 개발에 합의하면서 추진됐다. 올해 6월에는 차세대 초고속·고용량 D램 모듈과 인메모리 기술 개발을 위한 '차세대 인메모리 플랫폼 개발 업무협약(MOU)'도 체결했다.
인메모리 데이터베이스(in- memory database)는 중앙처리장치(CPU)의 정보를 처리하는 메인 메모리(주기억장치)에 초대용량의 데이터를 저장해 처리 속도를 크게 향상시키는 기술이다. 또 SAP 하나는 SAP 인메모리 플랫폼이다.
양사는 글로벌 고객들이 'SAP 하나'를 도입하기 전, 리서치센터에서 시험 운용 등 제반 지원을 통해 고객들에게 최적의 솔루션을 제공할 계획이다. 또 인메모리 시스템용 초고용량 메모리 개발과 도입을 위한 제반 평가를 진행한다.
특히 양사는 20나노 D램 기반 128기가바이트(GB) 3DS(3 Dimensional Stacking, 3차원 수직 적층) 모듈을 탑재해 단일 서버로 최대 24테라바이트(TB)급의 인메모리 플랫폼 'SAP 하나'를 구현한다는 방침이다. 향후에는 10나노급 D램 기반 256기가바이트 3DS 모듈을 탑재해 차세대 시스템의 성능을 더욱 향상시킬 예정이다. 시스템 운영 소비 전력도 최소화해 고객의 IT 투자 효율을 높인 솔루션을 개발할 계획이다.
전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "10나노급 D램 양산으로 SAP의 차세대 인메모리 시스템에 최적의 솔루션을 적기에 제공할 수 있게 됐다"며 "향후 기술 리더십을 더욱 강화해 '초고용량 메모리 시대'를 지속 주도해 나갈 것이다"라고 강조했다.
어데어 폭스 마틴 SAP 아시아태평양 지역 회장은 "SAP는 삼성전자와 함께 SAP 하나 플랫폼을 이용하는 고객사를 위한 차세대 인메모리 솔루션을 개발할 계획이다"라며 "이번 협력을 통해 삼성전자와 보다 포괄적인 파트너십을 맺게 됐다"고 말했다.