인텔, 임베디드 노어 플레시 메모리 65나노로 전환

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  • 홍진욱
입력 2007.08.22 10:43


인텔은 가격 대비 성능의 향상과 제품의 수명
주기 연장을 위해 임베디드 노어 플래시 제품의 생산을 65나노 공정 기반으로 전환할
것이라고 밝혔다.

가전 제품, 유선 통신 장비 및 산업용 애플리케이션에
사용되는 인텔의 65나노 제품들은 2008년 상반기 중으로 고객들에게 샘플이 제공될
예정이다.

임베디드 시장을 대상으로 하는 인텔 노어 제품군에는 일반적으로
병렬 및 시리얼 솔루션이 포함되며, 인텔 스트라타플래시 임베디드 메모리 (P30/P33)는
비트당 비용이 낮은 고집적/고성능의 싱글칩 코드이자 데이터 솔루션이다.

이와
관련해 인텔 플래시 제품 그룹의 글렌 헉크(Glen Hawk) 총괄 매니저는 "대부분의
임베디드 디자인은 휴대폰을 비롯한 여러 소비자용 디지털 기기에 비해 제조 기간이
길다"라며, "인텔 노어 무선 제품들은 최첨단 65나노 공정을 기반으로
이미 대량 생산되고 있다. 이러한 지식 및 전문성을 이용하여 자사 제품 개발 및
생산 일정을 가속화하고 있다"라고 전했다.


 


  다나와 홍진욱 기자 honga@danawa.com
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