'7나노 공정' 적용한 차세대 AP ‘스냅드래곤845’, 2018년 갤럭시S9 최초 탑재

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입력 2017.05.09 10:24
퀄컴이 개발 중인 7나노 공정의 차기 애플리케이션 프로세서(AP)이 2018년 삼성전자의 갤럭시S9에 최초로 장착될 것이라는 전망이 나왔다.

나노는 머리카락 굵기의 10억분의 1 크기로 더 미세한 나노공정을 적용할수록 웨이퍼 한 장당 더 많은 칩을 만들 수 있다. 특히 공정이 미세화되면 크기가 작아지고 전력소모가 줄어들며 성능은 향상된다.

퀄컴 스냅드래곤 / 퀄컴 제공
8일(현지시각) 폰아레나 등 주요 외신에 따르면 퀄컴은 7나노 공정의 스냅드래곤 845 칩셋을 개발해 내년 초 스페인에서 열리는 모바일월드콩그레스(MWC)에서 공개할 예정이다. 이 부품은 삼성전자의 차기 프리미엄 스마트폰 갤럭시S9에 최초로 탑재될 것으로 전망됐다.

스냅드래곤 845는 현재 갤럭시S8에 탑재된 10나노 공정의 스냅드래곤 835와 비교해 25~35%쯤 성능이 향상될 것으로 전망된다. 칩셋 크기도 축소돼 슬림한 스마트폰 제조에 유리할 것으로 보인다.

스냅드래곤 845는 삼성전자나 TSMC에서 개발한 공정으로 생산될 전망이다. 대만의 TSMC는 지난 4월 7나노 공정 개발에 착수했으며, 현재 시험 제작 단계인 것으로 알려졌다. 삼성전자는 최근 10나노 기반의 2세대 핀펫공정 개발을 마쳤으며, 2018년 초 생산을 목표로 7나노 칩셋 개발을 진행 중이다.

삼성전자는 4월 1분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 "2018년 7나노 공정의 초도 생산을 시작으로 2019년 본격 양산할 계획이다"라며 "2018년 선두 공정을 개발하고 1년 후 파생 공정(7나노)을 제공할 수 있을 것이다"라고 설명했다.

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