삼성전자·SK하이닉스, 美 EUV용 포토레지스트 개발 기업에 투자

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입력 2020.02.21 16:05 | 수정 2020.02.21 16:55
삼성전자와 SK하이닉스가 EUV(극자외선) 공정의 필수 소재인 포토레지스트를 개발·생산하는 미국 업체 인프리아에 투자했다.

21일 업계 및 외신에 따르면 삼성전자 투자 자회사인 삼성벤처투자와 SK하이닉스는 미국 인프리아가 모집한 시리즈C 펀딩에 참여했다. 펀딩 규모는 3100만달러(약 373억) 수준이며 대만 TSMC와 일본 JSR 등의 기업도 인프리아 펀딩에 투자했다.

. / IT조선 DB
EUV 노광기술은 액침 불화아르곤 방식보다 파장 길이가 1/14미만으로 세밀한 회로 패터닝이 가능한 기술이다. 이 기술을 활용하면 기존 멀티패터닝보다 제조시간을 줄일 수 있으며 7나노 이하 초미세 공정을 구현할 수 있다. 저전력, 고성능 반도체를 구현하기 위한 차세대 기술이다.

삼성전자는 화성사업장에 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 전용 생산라인 'V1 라인'을 2월부터 가동했다. 이재용 부회장은 지난 20일, V1 라인을 방문해 "도전을 멈추지 말자"며 직원들을 격려한 바 있다.

삼성전자는 'V1 라인'에서 초미세 EUV공정 기반 7나노부터 GAA(Gate-All-Around) 구조를 적용한 3나노 이하 차세대 파운드리 제품을 주력으로 생산한다.

이 회사는 V1 라인 가동으로 2020년 말 기준 7나노 이하 제품의 생산 규모는 2019년 대비 약 3배 이상 확대될 것으로 보인다고 덧붙였다.
SK하이닉스 관계자는 "1A나노미터 미세공정을 사용하는 메모리반도체에 EUV공정을 부분적으로 도입할 예정"이라며 "2020년 말 완공 예정인 이천 M16 공장에 EUV공정을 위한 별도 공간을 마련 중이다"라고 말했다.

양사는 EUV용 핵심 소재에 대한 공급처 다변화를 목적으로 이번 투자에 참여한 것으로 풀이된다.


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