삼성전자, 파운드리 사업부 출범 공식 행보…美 포럼서 2020년 4나노 공정 로드맵 발표

노동균 기자
입력 2017.05.25 09:18
삼성전자는 24일(현지시각) 미국 산타클라라에서 반도체 위탁생산 고객사와 파트너사 관계자 400여명을 초청해 '삼성 파운드리 포럼(SFF)'을 열고, 최첨단 파운드리 공정을 발표했다고 밝혔다.

김기남 삼성전자 반도체 총괄 사장이 미국 산타클라라 메리어트 호텔에서 열린 삼성 파운드리 포럼에서 최신 파운드리 공정 기술과 솔루션을 발표하고 있다. / 삼성전자 제공
포럼은 5월 12일 삼성전자 DS부문 조직개편에서 파운드리 사업부 출범을 공식 선언한 이후 열리는 첫 행사다.

삼성전자는 포럼에서 8나노에서 4나노까지 광범위한 첨단 미세공정 로드맵과 웨이퍼 위에 산화막을 형성해 소자에서 발생하는 누설 전류를 크게 줄여주는 FD-SOI(Fully Depleted-Silicon on Insulator) 솔루션 등 최신 파운드리 공정을 소개했다.

삼성전자의 미세공정 로드맵은 올해 8나노 LPP(Low Power Plus) 공정 개발을 완료하고, 2018년 7나노 LPP, 2019년 5~6나노 LPP를 거쳐 2020년에는 미세공정 한계를 극복하기 위해 삼성전자가 독자적으로 설계한 차세대 트랜지스터 구조인 MBCFET(Multi Bridge Channel FET)를 적용한 4나노 LPP 공정을 개발한다는 목표다.

삼성전자는 사물인터넷(IoT) 시대를 맞아 대량의 데이터를 생성·처리·연결하기 위해서는 실리콘 반도체 기술 혁신을 통한 칩의 성능 향상과 저전력 솔루션이 필수적인 만큼 최신 공정을 바탕으로 파운드리 사업 확대에 나선다는 계획이다.

IHS마킷에 따르면, 2016년 기준 세계 파운드리 시장 점유율은 대만 TSMC가 50.6%로 1위다. 뒤이어 미국 글로벌파운드리(9.6%), 대만 UMC(8.1%), 삼성전자(7.9%) 순으로 2~4위 기업이 치열한 각축전을 펼치고 있다.

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