에이오이티(AOET)는 한국전자통신연구원(ETRI)과 차세대 화합물 반도체 핵심인 질화갈륨(GaN) 기술 개발과 관련한 연구 정보공유와 협력체계 구축, 인력 교류 등 업무 협력 의향서를 체결했다고 27일 밝혔다.
GaN 소자는 실리콘 반도체 소자에 비해 고속력, 고내구성, 광범위 광출력성, 작동 온도의 한계 극복 등 성능이 우수한 것으로 알려졌다. 제3세대 반도체 물질 중 필수 소자로 부른다. GaN 소자는 자율 자동차 등 로보트 시대에 필요한 전력 분야는 물론, 5G·6G를 비롯한 광통신 소자 등에 활용한다.
미국의 국방항공 회사인 레이시언 테크놀로지(Raytheon Technologies)와 파운더리 회사인 글로벌 파운드리(Global Foundries)는 5월 19일 컴파운드 세미컨덕터를 통해 5G·6G 용 소자인 GaN-on-Si를 개발하겠다고 밝혔다. 중국은 2021년 상반기까지 GaN 소자 생산 라인이 7개였는데, 추가로 4개 라인을 건설중인 것으로 나타났다.
AOET 측은 ETRI와의 프로젝트 성공 시 세계 최초로 200㎜ Si 웨이퍼 양산 라인을 자동화할 수 있을 것으로 전망한다. 이 경우 투자비와 생산 원가를 기존 대비 10분의 1로 줄일 수 있다.
오상목 AEOT 대표는 "새로 개발할 기술은 전 세계 Si 생산라인에 사용할 수 있다"며 "해당 기술을 마이크로LED 디스플레이에 적용할 경우 생산 가격이 더욱 저렴해질 것이다"고 말했다.
이진 기자 jinlee@chosunbiz.com