AOET·ETRI, 질화갈륨 기술 개발 위해 맞손

이진 기자
입력 2021.10.27 18:01
에이오이티(AOET)는 한국전자통신연구원(ETRI)과 차세대 화합물 반도체 핵심인 질화갈륨(GaN) 기술 개발과 관련한 연구 정보공유와 협력체계 구축, 인력 교류 등 업무 협력 의향서를 체결했다고 27일 밝혔다.

GaN 소자는 실리콘 반도체 소자에 비해 고속력, 고내구성, 광범위 광출력성, 작동 온도의 한계 극복 등 성능이 우수한 것으로 알려졌다. 제3세대 반도체 물질 중 필수 소자로 부른다. GaN 소자는 자율 자동차 등 로보트 시대에 필요한 전력 분야는 물론, 5G·6G를 비롯한 광통신 소자 등에 활용한다.

AOET와 ETRI 간 업무협력 협약식 모습 / AOET
AOET와 ETRI는 협력을 통해 GaN 전력소자(400V·600V·1200V)와 GaN RF소자(5G·6G 용)를 개발한다. 현재 글로벌하게 개발된 GaN 전력소자는 900V까지다.

미국의 국방항공 회사인 레이시언 테크놀로지(Raytheon Technologies)와 파운더리 회사인 글로벌 파운드리(Global Foundries)는 5월 19일 컴파운드 세미컨덕터를 통해 5G·6G 용 소자인 GaN-on-Si를 개발하겠다고 밝혔다. 중국은 2021년 상반기까지 GaN 소자 생산 라인이 7개였는데, 추가로 4개 라인을 건설중인 것으로 나타났다.

AOET 측은 ETRI와의 프로젝트 성공 시 세계 최초로 200㎜ Si 웨이퍼 양산 라인을 자동화할 수 있을 것으로 전망한다. 이 경우 투자비와 생산 원가를 기존 대비 10분의 1로 줄일 수 있다.

오상목 AEOT 대표는 "새로 개발할 기술은 전 세계 Si 생산라인에 사용할 수 있다"며 "해당 기술을 마이크로LED 디스플레이에 적용할 경우 생산 가격이 더욱 저렴해질 것이다"고 말했다.

이진 기자 jinlee@chosunbiz.com


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