삼성전자가 6월 세계 최초로 3나노미터(㎚, 10억분의 1미터) 반도체 위탁생산(파운드리) 제품 양산에 돌입한 데 이어, 파운드리 세계 1위인 대만 TSMC도 9월 중 핀펫(FinFET) 기반 3나노 제품 양산에 들어간다. 파운드리 초미세공정에서 양사 간 대결이 본격화했다.삼성전자보다 한발 늦은 3나노 로드맵에도 TSMC는 자신감이 넘친다. 애플, 인텔, 퀄컴, AMD 등 대형 고객사가 여전히 TSMC와 우선 손을 잡길 바라고 있어서다.TSMC는 3나노 파운드리 공정 고객으로 애플, 퀄컴, 엔비디아, AMD, 인텔 등을 확보한 것으
삼성전자가 6월 30일 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술의 3나노미터(㎚, 10억분의 1미터) 파운드리 공정으로 초도 제품 양산을 시작했다. 25일에는 화성캠퍼스 V1 라인에서 제품 출하를 기념하는 행사를 열었다. ‘파운드리 사업에 한 획을 그었다’는 경계현 삼성전자 DS부문장(사장)의 평가처럼 파운드리 1위 대만 TSMC에 처음으로 기술에서 앞섰다는 상징성이 돋보였다. 하지만 축포를 터뜨리기에는 아직 이르다. TSMC는 3나노 제품 양산을 시작하지 않았지만 대형 고객사를 이미 선점했고, 파운드리 시장 재진출을
삼성전자는 25일 오전 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다고 이날 밝혔다.25일 행사는 산업통상자원부 이창양 장관, 협력사, 팹리스, 경계현 삼성전자 DS부문장(사장)과 임직원 등 100명쯤이 참석해 3나노 GAA 연구개발과 양산에 참여한 임직원들을 격려했다.삼성전자 파운드리사업부는 '혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다'라며 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나
투견(鬪犬)에서 유래된 ‘언더독(Underdog)’이라는 단어는 아래에 깔리는 개를 뜻한다. 주로 스포츠에서 객관적으로 전력이 열세인 약팀을 비유할 때 쓴다. 반대로 위에 올라타서 승리한 개는 ‘톱독(Top dog)’ 즉 강팀을 말한다. 삼성전자는 무련 30년째 세계 메모리 반도체 시장에서 톱독이지만, 파운드리(반도체 위탁 생산) 분야에서는 언더독과 다름없다. 올해 1분기 기준 파운드리 시장 점유율 1위는 대만 TSMC(53.6%)다. 2위 삼성전자(16.3%)는 TSMC와 비교해 3분의 1 수준에도 못 미친다. 애플, 퀄컴, 인텔
삼성전자가 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노(㎚, 나노미터) 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다고 30일 밝혔다. 이는 대만 TSMC의 3나노 양산 계획보다 6개월쯤 앞선 것이다. 삼성전자는 향후 미세공정 경쟁에서 TSMC를 상대로 앞서갈 수 있다는 자신감을 얻을 수 있다. 파운드리 1위 TSMC는 올해 말쯤 3나노 파운드리를 양산할 계획이다. 3나노 제품까지는 기존의 핀펫 기술을 적용하고, 2025년 상반기로 예상하는 2나노 공정부터 GAA 기술을 도입하겠다고 밝혔다.3나노 공정은 반도
삼성전자가 이번 주중 세계 최초로 차세대 게이트올어라운드(GAA·Gate-All-Around) 기반 3나노미터(㎚=10억분의 1m) 공정 양산에 돌입한다. 파운드리 1위 대만 TSMC를 추격할 승부수로, 삼성전자가 향후 점유율 격차를 얼마나 줄일 수 있을지에 관심이 쏠린다.28일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 빠르면 30일 3나노 공정이 적용된 최첨단 반도체 웨이퍼의 대량 생산을 시작한다. 당일 양산 소식을 알리면서 고객사까지 공개할지 여부가 관심사다. 수율은 그동안 공식적으로 공개한 적 없는 만큼, 이번에도 공개 가능성이 낮다.
20일 삼성전자 평택 반도체 공장을 찾은 윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령은 방명록 대신 한 ‘얇은 원판’에 서명을 남겼다. 이 원판이 바로 3나노미터(㎚) 반도체 웨이퍼다. 신기술인 ‘게이트 올 어라운드’(GAA) 기반 공정이 세계 최초로 적용된다. 파운드리(반도체 위탁생산) 세계 1위인 대만 TSMC에 대항할 삼성전자의 ‘히든 카드’다.이재용 삼성전자 부회장의 설명을 들으며 3나노 공정 생산라인을 둘러본 바이든 대통령은 "겨우 몇 나노 두께밖에 되지 않는 이 작은 칩이 인류의 기술을 발전시키는 열쇠가 될 것이다"며 "삼성이
삼성전자의 ‘시스템반도체 비전 2030(2030년까지 시스템반도체 1위 달성)’ 달성에 빨간불이 켜졌다. 삼성전자는 반도체 위탁생산(파운드리) 1위 대만 TSMC보다 한발 더 빠른 초미세공정 로드맵을 제시하며 반전을 꾀했지만, 최근 한계가 드러났다. 반도체 업계에서는 삼성전자의 TSMC 추격은 커녕 파운드리 시장 재진입을 노리는 인텔에도 밀릴 수 있다는 지적이 나온다. 26일 반도체 업계 관계자의 말을 종합하면, 삼성전자는 하반기 1세대 3나노 공정인 3GAE(나노 Gate-All-Around Early)를 적용한 반도체의 시험 생
반도체 수탁생산(파운드리) 라이벌 삼성전자와 대만 TSMC가 3나노(㎚) 공정 진입을 앞두고 수율 경쟁을 펼친다. 거의 사활을 거는 분위기다. TSMC는 7월로 계획한 3나노 공정 양산 일정을 최근 연기한 것으로 알려졌다. 반면 삼성전자는 국내에 3나노 팹(반도체 공장) 착공 초읽기에 들어가며 상용화에 한발 더 다가간다.15일 반도체 장비업계에 따르면, 삼성전자는 최근 평택3공장(P3)에 3나노 팹 건설 준비에 들어갔다. 올 여름 관련 장비를 공장 내 추가 입고할 계획이다.반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 올 하반기에 1세대 3나노
한국의 삼성전자와 대만 TSMC, 미국 인텔 등 반도체 공룡이 올해 총 100조원 규모에 육박하는 설비 투자를 추진한다. 글로벌 반도체 위탁생산(파운드리) 시장 주도권을 잡기 위한 ‘쩐의 전쟁’이 펼쳐진다.하지만 대규모 투자에 걸맞은 첨단 장비를 확보하지 못하면 반도체 패권 경쟁에서 우위에 설 수 없다. 첨단 반도체 공정에 필수인 ‘극자외선(EUV) 노광기’가 대표적인 첨단 장비다. 기업의 명운이 이 장비 확보량에 달렸다 해도 과언이 아니지만, 네덜란드 ASML만 단독 생산하는 상황이고 연간 생산량에 한계가 있어 어려움이 가중된다.
삼성전자가 국내외 반도체 위탁생산(파운드리) 생산능력을 키워 시장 1위 TSMC 추격에 나선다. 2022년 상반기 양산하는 ‘게이트 올 어라운드(GAA)’ 기반의 3나노(㎚) 반도체는 TSMC가 독주하는 시장의 판을 뒤집을 히든카드다.GAA는 전력효율, 성능, 설계 유연성을 가지고 있어 공정 미세화를 지속하는데 필수인 기술이다. TSMC가 2022년 7월부터 3나노 양산에 들어가는 기존 핀펫 방식보다 전력 효율을 높여주는 진화한 공정이다.삼성전자는 24일 미국 내 신규 파운드리 반도체 생산라인 건설 부지로 텍사스주 테일러시를 최종
삼성전자는 18일 'SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼 2021'을 개최하고 파트너사들과 파운드리 생태계를 강화하겠다고 밝혔다.SAFE 포럼은 삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 고객사들을 대상으로 협업을 도모하는 행사다. 2019년 처음 열린 이후 올해로 3회째를 맞았다.올해 포럼은 '퍼포먼스 플랫폼(Performance Platform) 2.0'을 주제로 열렸다. 삼성전자는 최첨단 공정 기반의 반도체 구현을 위해 고객사들과 솔루션 강화 방안을 논의하고, 성공적인 개발 협력 성과와 사례
삼성전자가 ‘게이트 올 어라운드(GAA)’ 기술을 앞세운 초격차 전략을 통해 대만 TSMC가 장악한 반도체 위탁생산(파운드리) 시장의 판을 뒤집는다. GAA는 전력효율, 성능, 설계 유연성을 가지고 있어 공정 미세화를 지속하는데 필수적인 기술이다. TSMC가 내년 7월부터 3나노 양산에 들어가는 기존 핀펫 방식보다 전력 효율을 높여주는 진화한 공정이다.5나노급 칩을 양산하는 회사가 사실상 TSMC와 삼성전자로 유이한 만큼 양사의 진짜 승부는 향후 3나노 이하 미세공정으로 갈릴 전망이다. 여기서 삼성전자가 주도권을 쥘 경우 일발역전이
삼성전자의 파운드리 부문 초격차 확보 핵심 기술은 ‘GAA(게이트 올 어라운드) 기술’이다. 삼성전자는 2022년 상반기 3나노 공정에 GAA를 도입한다. 2023년에는 3나노 2세대, 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정 양산이 목표다.삼성전자는 '또 한 차원을 더하다(Adding One More Dimension)'를 주제로 '삼성 파운드리 포럼 2021'을 7일 온라인으로 개최했다. 포럼에서는 이같은 목표를 담은 ‘GAA 기술 기반 3나노 및 2나노 공정 양산 계획’과 ‘17나노 신공정 개발’ 등을 소개했다. 공정기술∙ 라인
삼성전자가 미국 제2파운드리(반도체 위탁생산) 공장 부지 선정에 속도를 낸다. 미 제2파운드리는 현재 짓고 있는 평택캠퍼스 3라인(P3)과 함께 파운드리 경쟁력 향상을 위한 밑거름이다. 파운드리를 포함한 시스템반도체 분야에서 1위를 달성하겠다는 삼성전자의 ‘비전 2030’은 이재용 부회장 경영복귀 후 순항 중이다. 6일 커뮤니티임팩트, 테일러프레스 등 미 현지 매체에 따르면 텍사스주 윌리엄슨 카운티의 테일러시는 삼성전자 공장건설에 대한 세금감면 등 인센티브를 협의하고 9일 관련 공청회를 연다.커뮤니티임팩트는 테일러시 남서쪽 독립교육
삼성전자가 시스템반도체 글로벌 1위 도약을 위해 칼을 빼들었다. GAA(Gate All Around) FET 공정을 적용한 3나노(㎚, 1나노미터는 10억분의 1m) 이하 제품 조기 양산에 성공해 대만 TSMC를 따라잡는다는 전략이다. 최근 삼성의 기술력을 부정적으로 평가했던 대만 언론의 도발에 정면대응한 것이라는 평가가 나온다.삼성은 2023년까지 3년간 반도체·바이오 등 전략 사업에 240조원을 신규 투자하고 4만명을 직접 고용한다고 24일 발표했다.이재용 부회장의 가석방 후 11일 만에 나온 통큰 행보다.240조원 투자의 핵심
삼성전자가 코로나19로 인한 불가피한 실적 감소를 최소화하기 위해 ‘5G 스마트폰 라인업 강화’와 ‘반도체 속도전’ 카드를 꺼냈다.삼섬전자는 29일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "코로나19 영향이 본격 반영되는 2분기 실적하락이 불가피하다"면서도 "폴더블·노트 등 프리미엄 신모델과 중저가 5G 스마트폰 도입을 확대해 제품 라인업을 강화하고 1z 나노 D램 등 미세 공정 전환을 가속화해 경쟁력을 높이겠다"고 밝혔다. 삼성전자는 1분기 증권가 예상치를 상회하는 영업이익 6조4473억원을 기록했다. 4조원에 달하는 영업이익을 기록한 반
이재용 삼성전자 부회장이 새해 첫 업무로 삼성전자 화성사업장 3나노 반도체 개발 현장을 찾았다. 삼성전자는 메모리에 이어 시스템반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하겠다는 강한 의지로 해석했다. 이 부회장도 현장에서 "역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것"이라며 새로운 미래 개척을 강조했다. 삼성전자는 2일 이재용 부회장이 화성사업장 내에 있는 반도체 연구소를 찾아 3나노 공정기술을 보고 받고 DS부문 사장단과 함께 차세대 반도체 전략을 논의했다고 전했다. 삼성전자는 "이 부회장이 새해 첫 경영 행보를 반도체 개발 현장에서 시