삼성전자가 업계 최고 속도인 '24Gbps GDDR6(Graphics Double Data Rate) D램'을 개발했다고 14일 밝혔다.Gbps(Gigabit per second)는 1초당 전송되는 기가비트 단위의 데이터다. 삼성전자 '24Gbps GDDR6 D램'은 EUV(극자외선) 노광 장비를 활용한 3세대 10나노급(1z) 공정을 기반으로 한 16Gb 제품이다. 10나노급 D램은 1세대(1x), 2세대(1y), 3세대(1z), 4세대(1a) 등으로 표기한다. 관련기사팬데믹에 치솟은 D램값, 2년 만에 10%대 하락'24Gbps
반도체 위탁생산(파운드리) 시장 진입을 앞둔 미국 인텔이 신형 극자외선(EUV) 노광기 선점에 열을 올린다. 기존보다 정밀한 공정이 가능해 신규 고객사를 확보하는 데 용이해서다. 인텔이 공격적 행보로 파운드리 2위를 위협하자 삼성전자도 신형 EUV 노광기 확보에 사활을 걸었다.5월 31일 반도체 업계에 따르면, 인텔은 2024년 네덜란드 ASML로부터 신형 EUV 노광기 5대 전량을 공급받을 예정이다. 파운드리 1·2위 TSMC와 삼성전자는 2025년에야 5대 물량을 나눠가질 것으로 파악된다.ASML이 인텔에 공급하는 장비는 하이N
삼성전자와 SK하이닉스가 3분기 사상 최대 실적을 기록했다. 삼성전자는 3분기 반도체 부문에서만 전체 영업이익의 64%인 10조600억원을 벌어들였고, SK하이닉스도 4조1718억원의 영업이익을 기록했다. 2018년 4분기(4조4301억원) 이후 2년 반 만에 4조원대 영업이익을 돌파했다.양사는 3분기에 최대 실적을 거뒀지만, 이같은 성적이 4분기와 내년까지 이어질지 미지수다. 파운드리(반도체 위탁생산)는 원가 상승 효과가 있을 것으로 예상되지만, 세계적 부품 공급난 등이 여전히 지속되고 있는 탓이다. D램과 낸드플래시 역시 단기적
도쿄일렉트로닉스와 레이저텍 등 일본 반도체 장비·검사 기업이 극자외선(EUV)으로 알려진 차세대 반도체 기술 부문에 투자를 확대하고 있다. 네덜란드 기업 ASML이 유일하게 EUV 장비를 생산·공급하는 가운데 일본 기업들은 결함 검사 장비와 광원 등 EUV 관련 주변부 기술로 존재감을 높이고 있다. 닛케이아시안리뷰는 일본 장비·검사 기업이 EUV로 세대교체를 위해 막대한 투자를 단행하고 있다고 12일 보도했다. 파장 길이가 13.5나노인 EUV를 리소그래피 공정에 활용하면 2~5나노 초미세 반도체를 구현할 수 있다. 반도체 크기와
삼성전자가 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 기반 최첨단 제품 수요 확대에 대응하기 위해 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다. 삼성전자는 이달 라인 공사에 착수해 2021년 하반기부터 본격 가동한다고 21일 밝혔다.올해 2월 EUV 전용 화성 ‘V1 라인'을 가동한 삼성전자는 평택까지 EUV 라인을 확장하며 ‘반도체 비전 2030’ 달성에 박차를 가하고 있다. 지난해 4월 발표한 '반도체 비전 2030'을 발표하고 시스템 반도체 분야에서 글로벌 1위를 달성하겠다고 선언한 바 있다. 평택 EUV
삼성전자가 코로나19로 인한 불가피한 실적 감소를 최소화하기 위해 ‘5G 스마트폰 라인업 강화’와 ‘반도체 속도전’ 카드를 꺼냈다.삼섬전자는 29일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "코로나19 영향이 본격 반영되는 2분기 실적하락이 불가피하다"면서도 "폴더블·노트 등 프리미엄 신모델과 중저가 5G 스마트폰 도입을 확대해 제품 라인업을 강화하고 1z 나노 D램 등 미세 공정 전환을 가속화해 경쟁력을 높이겠다"고 밝혔다. 삼성전자는 1분기 증권가 예상치를 상회하는 영업이익 6조4473억원을 기록했다. 4조원에 달하는 영업이익을 기록한 반
삼성이 업계 최초로 D램에 극자외선(EUV) 공정을 적용해 제품을 양산하는 데 성공했다.삼성전자는 D램에 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대 10나노급 DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 글로벌 고객사에 공급해 성공적 평가를 마쳤다고 25일 밝혔다.EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 ‘멀티 패터닝 공정’을 줄이면서 패터닝 정확도를 높일 수 있다. 성능과 수율을 올리면서 제품 개발 기간을 단축해 효율이 올라간다. 삼성전자는 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급 D램(DDR5, LPDDR5)을 내년 양산하
코로나19가 북미와 유럽 지역으로 퍼지면서 문을 닫거나 재택근무를 확산하는 글로벌 반도체 장비업체가 늘어나고 있다. 사태가 장기화 국면을 맞아 휴업을 연장하거나 셧다운을 선언하는 업체가 늘어난다면, 삼성전자와 SK하이닉스 등 반도체 업계 투자나 생산 일정에도 차질이 생길 수 있다는 우려가 나온다.23일 업계와 외신에 따르면 미국 반도체 장비업체 램리서치는 지난 17일부터 3주간 캘리포니아주 프리몬트 본사와 리버모어 공장 운영을 중단한다. 전날 주정부가 내린 자택 대피명령에 따른 조치다.극자외선 노광장비를 독점 공급하는 네덜란드 AS
SK하이닉스가 2세대 제품보다 생산성을 약 27% 높인 3세대 10나노 16Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다. 올해까지 양산 준비를 마치고 2020년 본격 공급에 나선다는 계획이다. SK하이닉스가 21일 공개한 3세대 10나노급 DDR4 D램은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현했다. 웨이퍼 한장에서 생산하는 메모리 총 용량도 현존 D램 중 가장 크다.SK하이닉스 3세대 10나노급 DDR4 D램은 초고가의 EUV 노광 공정 없이도 생산이 가능해 원가경쟁력을 갖췄다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속
삼성전자가 극자외선(EUV) 노광 기술을 적용한 7나노미터(㎚, 10억분의 1m) 파운드리 공정 개발을 완료하고 본격적인 생산에 착수했다. EUV 공정을 D램 설계에도 적용해 초고속·초고용량 차세대 D램 개발에도 나선다.삼성전자는 17일(현지시각) 미국 실리콘밸리에 위치한 삼성전자 미주법인 사옥에서 ‘삼성 테크 데이 2018’을 열고, 차세대 반도체 솔루션을 소개했다.이번 테크 데이에서 삼성전자 파운드리 사업부는 EUV 노광 기술을 적용한 7나노 공정(7LPP, Low Power Plus) 개발을 완료하고 생산에 착수했다고 밝혔다.