삼성전자가 2030년까지 시스템반도체 연구개발과 생산시설 확충에 총 133조원을 투자한다. 1만5000명의 전문인력도 채용한다. 이렇게 확보한 인프라와 기술력을 국내 팹리스(Fabless, 반도체 설계 전문업체)와 디자인하우스(Design House, 설계 서비스 기업)과 공유한다.

삼성전자는 24일 이같은 내용의 ‘반도체 비전 2030’을 선언하고 장기적으로 국내 시스템 반도체 생태계의 경쟁력을 높여 메모리 반도체뿐 아니라 시스템 반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하겠다는 목표다.


삼성전자 화성캠퍼스 EUV 라인 전경. / 삼성전자 제공
삼성전자 화성캠퍼스 EUV 라인 전경. / 삼성전자 제공
2030년까지 시스템 반도체 R&D 분야에 73조원을 투자해 전문 연구개발 인력을 양성한다. 첨단 생산 인프라에도 60조원을 투자해 국내 시스템 반도체 생태계 확대를 유도한다.

화성캠퍼스 신규 EUV 라인을 활용해 생산량을 늘리고 신규 라인 투자도 지속 추진할 계획이다. 이를 통해 연평균 11조원의 R&D 및 시설투자를 집행한다. 삼성은 42만명의 간접 고용유발 효과 발생을 예상했다.

국내 중소 반도체 기업들에게 인터페이스, 아날로그, 시큐리티(Security) 분야에서 삼성전자가 개발한 IP(Intellectual Property, 설계자산)를 지원한다. 이를 통해 중소 업체들이 제품 경쟁력을 강화하고 개발 기간도 단축할 수 있도록 돕는다. 설계/불량 분석 도구(Tool)와 소프트웨어 등도 지원할 계획이다.

반도체 위탁생산 물량 기준도 완화한다. 중소 팹리스 업체들이 자사의 파운드리를 통해 다품종 소량 생산이 가능토록 지원한다. 팹리스 업체의 개발 활동에 필수적인 MPW(Multi-Project Wafer)프로그 공정당 년 2~3회로 확대해 운영한다. 국내 디자인하우스 업체와의 외주협력도 확대해 나갈 계획이다.

삼성전자는 메모리 반도체 분야에서는 세계 1위 업체로 도약했지만 시스템 반도체 분야는 상대적으로 약세를 보여왔다. 메모리 반도체 의존도가 너무 높다는 지적이 끊이지 않는다. 최근 메모리 반도체 제품들의 공급 과잉과 그로 인한 장기적인 가격 하락이 삼성전자 전체 실적 하락에도 영향을 미쳤다.

장기적으로 부가가치가 높은 시스템 반도체 부문을 키워 메모리 반도체 일면도에서 벗어나고 종합 반도체 전문 기업으로 거듭난다는 계획이다.