SK하이닉스, EUV 활용 10나노급 D램 양산

이광영 기자
입력 2021.07.12 10:51 수정 2021.07.12 11:05
SK하이닉스가 극자외선(EUV) 미세공정이 처음 적용된 10나노급 4세대(1a) 모바일 D램 양산에 돌입했다.

SK하이닉스는 7월 초부터 차세대 10나노급 4세대(1a) 미세공정이 적용된 8Gbit(기가비트) LPDDR4 양산을 시작했다고 12일 밝혔다. LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)는 스마트폰 등 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램이다.

SK하이닉스가 EUV를 활용해 양산하는 10나노급 4세대 D램 / SK하이닉스
반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있다. 1a는 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)를 잇는 4세대 기술이다. 앞서 미국 마이크론도 6월 4세대 D램인 1α기반(1a와 동일)의 LPDDR4x 양산에 들어갔다고 밝힌 바 있다. SK하이닉스는 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품을 하반기부터 스마트폰 제조사에 공급할 예정이다.

SK하이닉스는 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼, 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산할 방침이다.

SK하이닉스는 신제품의 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높였다. 1a D램은 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 25%쯤 많다. SK하이닉스는 올해 세계적으로 D램 수요가 늘어남에 따라 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 할 것으로 기대한다.

신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 20%쯤 줄인 것이 특징이다. 저전력 강점을 보강하면서도 탄소 배출을 줄여 ESG(환경·사회·지배구조) 경영에도 부합한다.

SK하이닉스는 LPDDR4 제품에 이어 2022년 초 차세대 D램인 DDR5에 1a 기술을 적용할 계획이다.

조영만 1a D램 TF장(부사장)은 "1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품이다"라며 "EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있다"고 말했다.

이광영 기자 gwang0e@chosunbiz.com


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