삼성, 생산성·소비전력 개선 ‘14나노 EUV DDR5 D램’ 양산

이광영 기자
입력 2021.10.12 11:17
D램 시장 글로벌 1위 삼성전자가 EUV(극자외선) 공정을 적용한 업계 최선단 14㎚(나노미터, 10억분의 1m) D램 양산에 돌입했다고 12일 밝혔다.

삼성전자는 미세공정의 한계를 돌파하기 위해 2020년 반도체 업계 최초로 D램 생산에 EUV 공정을 적용했다. 업계 유일 EUV 멀티레이어 공정도 적용하며 미세 공정 경쟁에서 앞서가고 있다.

삼성전자 업계 최선단 14나노 DDR5 D램 / 삼성전자
삼성전자는 반도체 회로를 더 세밀하게 구현할 수 있는 EUV 노광 기술을 적용해 14나노 이하 D램 미세 공정 경쟁에서도 확고한 우위를 확보할 계획이다.

삼성전자가 12일 양산에 돌입한다고 밝힌 D램은 업계에서 '10나노급 4세대(1a) D램'으로 불리는 제품이다. 삼성은 자사의 미세 공정 기술력을 강조하기 위해 ‘14㎚’라는 구체적인 선폭을 공개했다.

총 5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도를 통해 이전 세대(1z) 대비 생산성을 20% 개선했다. 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 20%쯤 증가한다는 의미다. 삼성전자 14나노 D램 제품의 소비전력은 이전 공정(1z, 15㎚) 대비 20% 개선됐다.

삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5 D램에 가장 먼저 적용한다.

DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다. 최근 데이터센터와 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장에서 수요가 커지고 있다.

삼성전자는 업계 최소 선폭인 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정기술력을 기반으로 DDR5 D램 대중화를 선도하겠다고 강조했다.

삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 적극적으로 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(전무)는 "삼성전자는 지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해 반도체 미세 공정의 한계를 극복해 왔고, 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단 14나노 공정을 구현했다"며 "고용량, 고성능뿐 아니라 높은 생산성으로 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급하겠다"고 말했다.

이광영 기자 gwang0e@chosunbiz.com


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