세계 1위 파운드리(반도체위탁생산) 기업인 대만 TSMC가 2028년부터 1.4㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m) 기술을 적용한 반도체 생산에 돌입한다.
TSMC는 23일(현지시각) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 '2025 북미 테크 콘퍼런스' 행사를 열고 이 같은 내용이 담긴 기술 로드맵을 발표했다.
케빈 장 TSMC 수석부사장은 "A14(1.4나노)는 완전한 노드 전환 기반의 차세대 첨단 실리콘 기술이다"라며 "N2(2나노 공정) 대비 속도는 최대 15% 빠르고, 전력 소비는 30% 줄며 트랜지스터 집적도는 1.23배 향상될 것이다"라고 말했다.
1.4 나노 공정은 현재의 3나노 공정과 TSMC가 올해 말 생산에 들어가는 2나노 공정을 넘어서는 최첨단 기술이다. TSMC는 내년 말쯤엔 1.6나노 공정 기술도 도입할 계획이다. TSMC는 1.4나노 공정이 트랜지스터 성능과 전력효율을 획기적으로 높인 게이트올어라운드(GAA) 2세대를 기반으로 진행될 것이라고 덧붙였다.
TSMC는 또 나노플렉스 프로 구조로 설계 유연성을 높인다는 계획도 전했다. 아키텍처 일종인 나노플렉스 프로는 칩 설계자가 특정 애플리케이션이나 워크로드와 관련해 최적의 소비전력·성능·면적(PPA)을 달성하기 위해 트랜지스터 구성을 세밀하게 조정할 수 있는 아키텍처다.
TSMC는 설비투자 계획도 밝혔다. 올해는 약 400억달러(58조원)를 설비 투자에 사용하는 한편 장기적으로 AI 중심 수요확대에 대응할 계획이다.
이선율 기자
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